点击图片查看原图纳米范围内的最小结构形成在半导体或其他基板上。要求与电子显微镜相似，但对于光刻，电子束电流的调节必须覆盖较大的功率范围。20 kV-70 kV，低电流（mA），辅助电源，非常高的稳定性，低纹波。
功率半导体：
通常必须对组件进行介电强度，电流路由和开关行为测试。范围800V-20,000V，最高10kW，高/高电流脉冲最高3000A。大电流脉冲发生器，最大输出电流为3000A。
冷凝器测试仪/成型系统：
必须测试电容器的介电强度，并在制造过程中或以后使用时形成电容器。范围800V-20,000V，最高10kW。
半导体生产需要高度精确的集成电源。它由FuG电源保证。在这里，以及基本或专业系列中都使用了定制的解决方案-例如在离子注入，光刻和显微镜检查中。电容器必须进行介电强度测试，并在制造过程中以及使用期间的一定间隔内进行成型
FUG高压电源型号HCL系列：
FUG高压电源HCL350- 20000，
FUG高压电源HCL14- 3500，
FUG高压电源HCL35- 3500，
FUG高压电源HCL140- 3500，
FUG高压电源HCL350- 3500，
FUG高压电源HCL14- 6500，
FUG高压电源HCL14- 20000，
FUG高压电源HCL35- 6500，
FUG高压电源HCL140- 20000，
FUG高压电源HCL140- 6500，
FUG高压电源HCL350- 6500，
FUG高压电源HCL14- 12500，
FUG高压电源HCL35- 12500，
FUG高压电源HCL350140- 12500，
FUG高压电源HCL35- 20000，
FUG高压电源HCL35- 35000，
FUG高压电源HCL140- 35000，
FUG高压电源HCL350- 35000
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